单项选择题SRAM和DRAM存储原理不同,它们分别靠()来存储0和1的。
A.双稳态触发器的两个稳态和极间是否有足够的电荷
B.内部熔丝是否断开和双稳态触发器
C.极间电荷和浮置栅是否积累足够的电荷
D.极间是否有足够的电荷和双稳态触发器的两个稳态
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1.单项选择题掩膜ROM在制造时通过光刻是否连接MOS管来确定0和1,如果对应的某存储单元位没有连接MOS管,则该位信息为()。
A.不确定
B.0
C.1
D.可能为0,也可能为1
2.单项选择题某一EPROM芯片,其容量为32K×8,除电源和地线外,最小的输入引脚和输出引脚分别为()。
A.15和8
B.32和8
C.17和8
D.18和10
3.单项选择题存储周期指的是()。
A.存储器进行连续读或写操作所允许的最短时间间隔
B.存储器的读出周期
C.存储器进行连续写操作所允许的最短时间间隔
D.存储器的写入周期
9.单项选择题某一SRAM芯片其容量为2KB,除电源和接地线之外,该芯片引线的最小数目是()
A.24
B.26
C.20
D.22
10.单项选择题EPROM是指()
A.只读存储器
B.可编程的只读存储器
C.可擦除可编程的只读存储器
D.电可改写只读存储器
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