若锗中施主杂质电离能△ED=0.01eV，施主杂质浓度分别为ND=1014c...

问答题 若锗中施主杂质电离能△E_D=0.01eV，施主杂质浓度分别为N_D=10¹⁴cm^-3及10¹⁷cm^-3。计算
①99%电离；
②90%电离；
③50%电离时温度各为多少？

1.问答题以施主杂质电离90%作为强电离的标准，求掺砷的n型锗在300K时，以杂质电离为主的饱和区掺杂质的浓度范围。

2.问答题已知N_c=1.05×10¹⁹cm^-3，N_V=3.9×10¹⁸cm^-3，E_g=0.67eV，求温度为300K和500K时，含施主浓度N_D=5×10¹⁵cm^-3，受主浓度N_A=2×10⁹cm^-3的锗中电子及空穴浓度为多少？

3.问答题77K时，锗的电子浓度为10¹⁷cm^-3，假定受主浓度为零，而E_c-E_D=0.01eV，求锗中施主浓度N_D为多少？

4.问答题在室温下，锗的有效态密度N_c=1.05×10¹⁹cm^-3，N_V=3.9×10¹⁸cm^-3，计算77K时的N_c和N_V。

5.问答题在室温下，锗的有效态密度N_c=1.05×10¹⁹cm^-3，N_V=3.9×10¹⁸cm^-3，试求锗的载流子有效质量m^*_n、m^*_p。

6.问答题计算硅在-78℃，27℃，300℃时的本征费米能级，假定它在禁带中间合理吗？

7.问答题当E-EF为1.5k₀T，4k₀T，10k₀T时，分别用费米分布函数和玻耳兹曼分布函数计算电子占据各该能级的概率。

8.问答题 计算能量在E=E_c到之间单位体积中的量子态数。

9.问答题 磷化镓的禁带宽度Eg=2.26eV，相对介电常数ε_r=11.1，空穴的有效质量m^*_p=0.86m₀，m₀为电子的惯性质量，求
①受主杂质电离能；
②受主束缚的空穴的基态轨道半径。

10.问答题 锑化铟的禁带宽度Eg=0.18eV，相对介电常数ε_r=17，电子的有效质量m^*_n=0.015m₀，m₀为电子的惯性质量，求
①施主杂质的电离能，
②施主的弱束缚电子基态轨道半径。