问答题制造晶体管一般是在高杂质浓度的n型衬底上外延一层n型外延层,再在外延层中扩散硼、磷而成的。设n型硅单晶衬底是掺锑的,锑的电离能为0.039eV,300K时的EF位于导带下面0.026eV处,计算锑的浓度和导带中电子浓度。
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