在外延层中扩散硼后，硼的浓度分布随样品深度变化。设扩散层某一深度处硼浓度为5...

问答题

制造晶体管一般是在高杂质浓度的n型衬底上外延一层n型外延层，再在外延层中扩散硼、磷而成的。

在外延层中扩散硼后，硼的浓度分布随样品深度变化。设扩散层某一深度处硼浓度为5.2×10¹⁵cm^-3,计算300K时E_F的位置及电子和空穴浓度。

1.问答题 制造晶体管一般是在高杂质浓度的n型衬底上外延一层n型外延层，再在外延层中扩散硼、磷而成的。
设n型外延层杂质均匀分布，杂质浓度为4.6×10¹⁵cm^-3，计算300K时E_F的位置及电子和空穴浓度。

2.问答题制造晶体管一般是在高杂质浓度的n型衬底上外延一层n型外延层，再在外延层中扩散硼、磷而成的。设n型硅单晶衬底是掺锑的，锑的电离能为0.039eV，300K时的EF位于导带下面0.026eV处，计算锑的浓度和导带中电子浓度。

3.问答题试计算掺磷的硅、锗在室温下开始发生弱简并时的杂质浓度为多少？

4.问答题求室温下掺锑的n型硅，使E_F=（E_C+E_D）/2时锑的浓度。已知锑的电离能为0.039eV。

5.问答题掺磷的n型硅，已知磷的电离能为0.044eV，求室温下杂质一半电离时费米能级的位置和浓度。

6.问答题施主浓度为10¹³cm³的n型硅，计算400K时本征载流子浓度、多子浓度、少子浓度和费米能级的位置。

7.问答题掺有浓度为每立方米为1.5×10²³砷原子和立方米5×10²²铟的锗材料，分别计算①300K；②600K时费米能级的位置及多子和少子浓度。

8.问答题掺有浓度为每立方米为10²²硼原子的硅材料，分别计算①300K；②600K时费米能级的位置及多子和少子浓度。

9.问答题计算含有施主杂质浓度为N_D=9×10¹⁵cm^-3，及受主杂质浓度为1.1×10¹⁶cm³的硅在300K时的电子和空穴浓度以及费米能级的位置。

10.问答题有一块掺磷的n型硅，N_D=10¹⁵cm^-3，分别计算温度为①77K；②300K；③500K；④800K时导带中电子浓度。