锗、氧化亚铜、锑化铟是导体、硅、硒是半导体。

判断题锗、氧化亚铜、锑化铟是导体、硅、硒是半导体。

1.判断题只要在半导体内渗入适当的杂质，半导体的性质就能符合我们的要求。

2.判断题因为硒片每片所能承受的反向电压有效值不大，允许通过的电流也较小，所以当需要通过较大的电流和承受较高的电压时，则需要把它们串联或并联起来使用。

3.判断题带有中心抽头的变压器组成的全波整流电路与桥式全波整流电路其对二极管参数的要求是相同的。

4.判断题选择桥式整流电路用的二极管时，其最大电流应不小于负载电流的1/3，最大反向电压应不小于变压器次极的线电压。

5.判断题对于高压整流电路，当没有高压的二极管时，可以用几个低反压二极管进行串联，只要其电流满足要求，串联后的反向电压和大于最高电压就可以了。

6.判断题对于保护二极管的阻容吸收回路上的阻容元件的参数是根据经验选定的。

7.判断题甲类功率放大电路是效率比较低的放大电路，即使在理想状况下也只有50%。

8.判断题在乙类推挽功率放大器中和差分放大电路中，如果有一只管子损坏，只要选用同型的三极管进行更换就可以了。

9.判断题OTL电路也是乙类推挽功率放大电路。

10.判断题在直流放大器中，因为各级间采用直接耦合的方式，所以就不可避免的要产生零漂。