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填空题ZnO加热，表面上发生热分解反应，生成的Zn向晶体内部扩散，生成非整比化合物Zn_1+xO，这是（）型半导体。NiO在氧气中反应，晶体变为阴离子过量的NiO_1+x，这是（）型半导体。

参考答案： n；p

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1.问答题 比较锗在下列各种掺杂情况下的电导率的大小。
（1）掺0.1mg/kg的As
（2）掺0.1mg/kg的As和0.05mg/kg的Al
（3）掺0.1mg/kg的As和0.1mg/kg的Al
（4）掺1mg/kg的Al

参考答案：（3）<（2）<（1）<（4）

2.问答题什么是填隙缺陷？什么是空位缺陷？什么是置换缺陷？

参考答案：填隙缺陷是在晶体的晶格空隙中本不应该有原子占据的空隙中无规则地填隙了多余的原子所造成的缺陷，这些多余的原子可能是组成晶体...

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3.问答题 判断下列物质是否可能为n型或p型半导体：
（1）掺As的Ge
（2）掺Ga的Ge

参考答案：

（1）n
（2）p

4.填空题砷化镓是一种有用的半导体。将Se掺入（在As的位置上）属于（）型半导体。

参考答案：n

5.填空题TiOn₂在氢气中加热时显蓝色，表明红光被吸收。Ti（IV）还原为Ti（III）相当于（）型掺杂。

参考答案：n

6.填空题让10^-3mol电子通过温度为165℃，在两个Ag电极之间夹一片AgI（AgI是Ag⁺离子导体），两电极之间施加的电压为0.1V的电解池，阴极、阳极和AgI的质量定量变化（Ag的原子量108）为（）。

参考答案：正电极质量减少108mg，AgI不变，负电极质量增加108mg。

7.问答题MnCr₂O₄可能采取正常尖晶石结构和反尖晶石结构中的哪一种？为什么？

参考答案：应采取正常尖晶石结构。这是因为八面体位置上的d³Cr³⁺离子具有配位场稳定化...

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8.问答题TiO为NaCl型结构，每个晶胞中有4个TiO化学式单元，X射线衍射数据表明Ti和O的比例为1：1，立方晶胞的边长为418pm，测量体积和质量得到的密度是4.92g·cm^-3。这些数据能否表明晶体内部有缺陷存在？如果有的话，请进一步指出它们属空位缺陷还是间隙缺陷（已知1个TiO化学单元质量为63.88u，1u= 1.66×10^-24g？

参考答案：

9.问答题温度高于150℃时AgI是Ag⁺离子导体。假定165℃时在两个Ag电极之间夹一片AgI，两电极之间施加的电压为0.1V，经过一段时间后两电极质量如何变化？写出可能的电极反应。

参考答案：正银电极：Ag（s）=Ag⁺（AgI中）+e^-（外电路）
电解质A...

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