单项选择题硅二极管的反向电流很小,其大小随反向电压的增大而()
A.减小
B.基本不变
C.增大
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1.单项选择题PN结形成后,空间电荷区构成由()
A.价电子
B.自由电子
C.空穴
D.杂质离子
2.单项选择题杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于()
A.温度
B.掺杂工艺
C.掺杂浓度
D.晶格缺陷
3.单项选择题三极管组成的放大电路在工作时,测得三极管上各电极对地直流电位分别为VE=2.1V,VB=2.8V,VC=4.4V,则此三极管已处于()。
A.放大区
B.饱和区
C.截止区
D.击穿区
4.单项选择题PN结加正向电压时,其正向电流是()。
A.多子扩散而成
B.少子扩散而成
C.少子漂移而成
D.多子漂移而成
5.单项选择题测得某电路板上晶体三极管3个电极对地的直流电位分别为VE=3V,VB=3.7V,VC=3.3V,则该管工作在()。
A.放大区
B.饱和区
C.截止区
D.击穿区
6.单项选择题用万用表R×1K的电阻挡检测某一个二极管时,发现其正、反电阻均约等于1KΩ,这说明该二极管是属于()。
A.短路状态
B.完好状态
C.极性搞错
D.断路状态
7.单项选择题处于截止状态的三极管,其工作状态为()。
A.发射结正偏,集电结反偏;
B.发射结反偏,集电结反偏;
C.发射结正偏,集电结正偏;
D.发射结反偏,集电结正偏。
10.判断题因为N型半导体的多子是由自由电子,所以它带负电。
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与电流相量对应的正弦电流i可写作()。
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