单项选择题根据国产半导体器件命名方法可知,3DG6为()

A.NPN型低频小功率硅晶体管
B.NPN型高频小功率硅晶体管
C.PNP型低频小功率锗晶体管
D.NPN型低频大功率硅晶体管


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1.单项选择题某NPN型管电路中,测得UBE=0V,UBC=-5V,则可知管子工状态是否()

A.放大
B.饱和
C.截止
D.不能确定

2.单项选择题射极输出器是典型的()放大器。

A.电流串联负反馈
B.电压并联负反馈
C.电压串联负反馈

3.单项选择题基极电流iB的数值较大时,易引起静态工作点Q接近()。

A.截止区
B.饱和区
C.死区

4.单项选择题射极输出器的输出电阻小,说明该电路的()

A.带负载能力强
B.带负载能力差
C.减轻前级或信号源负荷

5.单项选择题电压放大电路首先需要考虑的技术指标是()。

A.放大电路的电压增益
B.不失真问题
C.管子的工作效率

6.单项选择题在共集电极放大电路中,输出电压与输入电压的关系是()

A.相位相同,幅度增大
B.相位相反,幅度增大
C.相位相同,幅度相似

7.单项选择题基本放大电路中,经过晶体管的信号有()。

A.直流成分
B.交流成分
C.交直流成分均有