（）可以用于畸变像复原。

对颗粒涂布型磁存储材料，假定单畴退磁场能Ed与多畴结构的畴壁能Ew分别可以表示为1）存在一个临界半径R0，当颗粒半径R>R0时，颗粒为多畴结构；当R0时，颗粒为单畴结构。2）下图中M-D、S-D以及S-P三个不同颗粒直径范围内矫顽力MHc与颗粒直径d的关系

信息存储材料大体上可以分为（）、（）和（）三种。

电极化

半导体光电子材料中发生的光电效应主要有（）、（）和（）三种。前两种是内光电效应，第三种是外光电效应。

光折变效应的大小只与入射光的能量有关，而与光强无关。

激光器主要由（）、（）和（）组成。

激子吸收

下面不是非线性光学现象的是（）

铁电性