晶体管是（）器件。

单项选择题晶体管是（）器件。

A.电流控制电流
B.电流控制电压
C.电压控制电压

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1.单项选择题空间电荷区是由（）构成的。

A.电子
B.空穴
C.离子

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2.单项选择题本征半导体温度升高以后（）。

A.自由电子增多，空穴数基本不变
B.空穴数增多，自由电子数基本不变
C.自由电子数和空穴数都增多，且数目相同

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3.单项选择题在P型半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度。

A.大于
B.等于
C.小于

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4.单项选择题在本征半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度。

A.大于
B.等于
C.小于

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5.单项选择题在N型半导体中掺入浓度更大的（）价元素，变成为P型半导体。

A.二
B.三
C.四

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6.单项选择题在本征半导体中掺入微量的（）价元素，形成N型半导体。

A.二
B.三
C.四
D.五

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7.问答题如下图，C₁~C₃足够大，

（1）求静态工作点I_BQ、U_CEQ。
（2）求输入、输出电阻R_i、R₀及电压放大倍数A_u各自的表达式。

参考答案：

（1）

（2）（2）

。

8.问答题如图所示电路中，已知三极管T为硅管，γ_bb′=337Ω，U_BEQ=0.7V，β=50；
R_b1=51KΩ，R_b2=15KΩ ，R_E=1KΩ，R_c=2KΩ， R_L=2KΩ，V_CC=12V。
试求：（1）静态工作点Q（I_BQ、I_CQ、U_CEQ）？
（2）电压放大倍数A_U＝？输入电阻R_i＝？输出电阻R₀＝？

参考答案：

。

9.问答题 如下图，C₁~C₄足够大，

（1）设U_BEQ=0.7V，求静态工作点I_CQ、U_CEQ
（2）求R_i、R₀、A_u=U₀/U_i，设β=30，γ_bb′=194Ω
（3）I_CEO、U_CES忽略不计，估算最大不失真输出电压峰值U_om。

参考答案：

（1）

（2）

（3）

。

10.问答题图示电路中，已知U_BEQ=0.7V，β=100，γ_bb′=374Ω，R_B1=5kΩ，R_B2=15kΩ，R_E=2.3kΩ，R_C=R_L=3kΩ，V_CC=12V。

（1）估算电路的静态工作点U_BQ、I_CQ、U_CEQ
（2）计算电压放大倍数A_u、输入电阻Ri、输出电阻R₀
（3）若信号源内阻为R_S=1kΩ时，求A_us=U₀/U_s的数值。

参考答案：

（1）

（2）

（3）。