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【计算题】硅扩散PN结,结面积为10
-5
cm
2
,结深为3μm,衬底浓度为N
0
=10
15
cm
-3
,外加电压V=-10V,通过计算比较,势垒电容取哪种更为合理?若结深为,其余参数不变,做那种近似合理?
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问答题
【计算题】理想硅PN结,N
D
=10
16
cm
-3
,在IV正偏压下,求N型中性区内存储的少数载流子总量。
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问答题
【计算题】试计算温度从300K增加至400K时,硅PN结反向电流增大多少倍?如果25℃时某锗PN结反向电流为10μA,当温度上升到45℃时反向电流有多大?
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