理想二极管组成的电路如下图所示,其AB两端的电压是()
A.—12V;
B.—6V;
C.+6V;
D.+12V。
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A.发射结正偏、集电结反偏;
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C.发射结反偏、集电结正偏;
D.发射结反偏、集电结反偏;
A.掺杂的工艺;
B.杂质的浓度;
C.温度;
D.晶体的缺陷。
A.电子;
B.空穴;
C.三价元素;
D.五价元素。
A.给本征半导体加上一定的能量,则价电子就能成为自由电子;
B.给本征半导体不加能量,则价电子也能成为自由电子;
C.给本征半导体加上一定的能量,则价电子也不能成为自由电子;
D.以上所有说法都不正确。
A.数量很多;
B.数量适中;
C.数量很少;
D.满足A项和B项。
A.该半导体为微导电;
B.该半导体为绝缘体;
C.该半导体为导体;
D.A项和C项。
A.不含杂质且具有完整晶体结构的半导体;
B.含有三价元素硼的半导体;
C.含有五价元素磷的半导体;
D.不含杂质且电阻率极低的半导体。
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