传质单元数只与物系的（）有关。

单项选择题传质单元数只与物系的（）有关。

A、气体处理量
B、吸收剂用量
C、气体的进口、出口浓度和推动力
D、吸收剂进口浓度

1.单项选择题当y，y1，y2及X2一定时，减少吸收剂用量，则所需填料层高度Z与液相出口浓度Xl的变化为（）。

A、Z，X1均增加
B、Z，X1均减小
C、Z减少，X1增加
D、Z增加，X1减小

2.单项选择题低浓度的气膜控制系统，在逆流吸收操作中，若其他条件不变，但入口液体组成增高时，则气相出口组成将（）。

A、增加
B、减少
C、不变
D、不定

3.单项选择题低浓度逆流吸收塔设计中，若气体流量、进出口组成及液体进口组成一定，减小吸收剂用量，传质推动力将（）。

A、变大
B、不变
C、变小
D、不确定

4.单项选择题对接近常压的溶质浓度低的气液平衡系统，当总压增大时，亨利系数E（），相平衡常数m（），溶解度系数（）。

A、增大减小不变
B、减小不变不变
C、不变减小不变
D、均无法确定

5.单项选择题对于吸收来说，当其他条件一定时，溶液出口浓度越低，则下列说法正确的是（）。

A、吸收剂用量越小，吸收推动力将减小
B、吸收剂用量越小，吸收推动力增加
C、吸收剂用量越大，吸收推动力将减小
D、吸收剂用量越大，吸收推动力增加

6.单项选择题反映吸收过程进行的难易程度的因数为（）。

A、传质单元高度
B、液气比数
C、传质单元数
D、脱吸因数

7.单项选择题在蒸发操作中，下列措施有利于晶体颗粒大而少的产品的是（）。

A、增大过饱和度
B、迅速降温
C、强烈搅拌
D、加入少量晶种

8.单项选择题下列有关溶液叙述正确的是（）。

A、溶液一旦达到过饱和就能自发的析出晶体
B、过饱和溶液的温度与饱和溶液的温度差成为过饱和度
C、过饱和溶液可以通过冷却饱和溶液来制备
D、对一定的溶质和溶剂其超饱和解度曲线只有一条

9.单项选择题在结晶过程中，杂质对晶体成长速率（）。

A、有抑制作用
B、有促进作用
C、有的有A作用，有的有B作用
D、没有影响

10.单项选择题在工业生产中为了得到质量好粒度大的晶体，常在介稳区进行结晶。介稳区是指（）。

A、溶液没有达到饱和的区域
B、溶液刚好达到饱和的区域
C、溶液有一定过饱和度，但程度小，不能自发地析出结晶的区域
D、溶液的过饱和程度大，能自发地析出结晶的区域