乙类推挽功率放大电路的（）较高，在理想情况下其值可达（）。

填空题乙类推挽功率放大电路的（）较高，在理想情况下其值可达（）。

1.填空题晶体三极管用来放大时，应使发射结处于（）偏置，集电结处于（）偏置。

2.填空题负反馈可以（）、（）、（）、（）和控制（）和（）。

3.填空题FET是电压控制电流器件，只依靠一种载流子导电，因而属于（）器件。

4.填空题集成运放两个输入端之间的电压通常接近于零，即vI=vN-vP≈0，若把它理想化，则有vI=0，故称为（）。

5.填空题PN结的基本特性—（）只有在外加电压时才显示出来。

6.填空题共模抑制比KCMR为（）之比，KCMR越大，表明电路对（）的抑制能力越强。

7.填空题在差动放大电路中，若VS1=—8mV，VS2=10mV，则输入差模电压vsd=（）mV，共模输入电压vsc=（）mV。

8.填空题工作在电压比较器中的运放与工作在运算电路中的运放的主要区别，前者通常工作在（）状态或（）状态，因此，它的输出一般只有高电平和低电平两个稳定状态。

9.填空题所谓零点漂移是（）。

10.填空题在甲乙类放大电路中，放大管的导通角为（）。