时变电场是（），静电场是（）

单项选择题时变电场是（），静电场是（）

A.有旋场；有旋场
B.有旋场；无旋场
C.无旋场；无旋场
D.无旋场；有旋场

1.单项选择题关于麦克斯韦方程的描述错误的一项是：（）

A.适合任何介质
B.静态场方程是麦克斯韦方程的特例
C.麦克斯韦方程中的安培环路定律与静态场中的安培环路定律相同
D.只有代入本构方程，麦克斯韦方程才能求解

2.单项选择题在无限大介质平面上方有一点电荷，若求介质平面下方区域的场，其镜像电荷（）

A.在介质平面上方h处
B.在介质平面上方2h处
C.在介质平面下方2h处
D.在介质平面下方h处

3.单项选择题电位唯一性定理的含义是（）

A.即满足拉普拉斯方程或泊松方程，又满足边界条件的电位是唯一的
B.满足边界条件的电位是唯一的
C.满足拉普拉斯方程的电位是唯一的。
D.满足泊松方程的电位是唯一的

4.单项选择题对接地导体球而言，球外点电荷的镜像电荷（）

A.位于导体球内，和原电荷、球心不在同一条直线上。
B.位于导体球外，和原电荷、球心位于同一条直线上。
C.位于导体球内，和原电荷、球心位于同一条直线上。
D.位于导体球外，和原电荷、球心不在同一条直线上。

5.单项选择题一点电荷位于夹角为60度的两个相交接地平面之间，其镜像电荷有（）个

A.2
B.4
C.5
D.6

6.单项选择题在无限大接地导体平面（YOZ平面）上方有一点电荷q，距离导体平面的高度为h。其静像电荷（）

A.在无限大接地导体平面（YOZ平面）上方2h处，电量为q。
B.在无限大接地导体平面（YOZ平面）下方h处，电量为-q。
C.在无限大接地导体平面（YOZ平面）上方h处，电量为2q。
D.在无限大接地导体平面（YOZ平面）下方2h处，电量为q。

7.单项选择题无源区域的泊松方程即（）

A.电流连续性方程
B.拉普拉斯方程
C.电场的旋度方程
D.磁场的旋度方程

8.单项选择题对接地导体圆柱而言，圆柱外线电荷的镜像导线（）

A.和原导线的线电荷密度等值异号，位于导体圆柱外
B.和原导线的线电荷密度等值同号，位于导体圆柱内
C.和原导线的线电荷密度等值同号，位于导体圆柱外
D.和原导线的线电荷密度等值异号，位于导体圆柱内

9.单项选择题在无限大接地导体平面上方有一点电荷，利用点电荷和镜像电荷可以求得（）区域的场强和电位。

A.平面下方
B.整个空间
C.需要根据其他条件进一步确定
D.平面上方

10.单项选择题恒定磁场中的介质产生磁化现象，介质内磁场与外加磁场相比，有何变化？（）

A.变大
B.变小
C.不变
D.变大或变小