杂质会导致金属晶格的畸变，造成电子散射，使电导率增加。

铁磁性圆柱试件和非铁磁性圆柱试件半径的变化在复阻抗平面上的效应方向是一致的。

温度升高会导致自由电子与金属晶格中的正离子碰撞加剧，使电阻增大，电阻与温度之间存在线性关系。

温度升高，导致自由电子与金属晶格中的正离子碰撞加剧，使电导率值变小。

纯金属具有规则的晶格，因此电阻率很小，若杂质含量极少，则不会导致金属晶格的畸变，造成电子散射，不影响电阻率。

石墨非金属材料，没有导电能力，因此不能采用涡流技术进行检测。

理论上讲，涡流在导体中的透入深度与涡流的频率和导体的电磁特性有关，与激励信号的强度无关。

不同铁磁性材料的饱和磁滞回线所包围的面积是不同的，软磁性材料的磁滞回线形状肥大，包围的面积大，表示其磁化困难。

对于非铁磁性材料来说，相同的磁场强度引起的变化，要比铁磁材料小得多，而其回线是直线，没有饱和与滞后现象。磁滞现象是铁磁性材料磁化所特有的现象。

阻抗归一化方法消除了原边线圈阻抗以及激励频率对曲线位置的影响。