晶闸管的过电流保护，可采用（）、（）和（）三种保护方式。

填空题晶闸管的过电流保护，可采用（）、（）和（）三种保护方式。

1.填空题单结晶体管的伏安特性有（）特性，利用这一特性，可构成晶闸管的（）电路。

2.填空题单结晶体管具有（）极和二个（）极的半导体器件。

3.填空题晶闸管的导通角与控制角的关系是（）。

4.填空题当晶闸管的阳极电流减少到（）时，晶闸管由导通变为截止。

5.填空题运算放大器在理想化条件下，在线性运行时的分析依据是（）和（）。

两个输入端的电流为零或i_-=i₊≈0；两输入端电位相等或u_-=u₊

6.填空题运算放大器的理想条件是（）、（）、（）和（）。

Auo=∞；r_id=∞；r_o=0；K_CMRR=∞

7.填空题双端输出的差动放大电路，电压放大倍数是单端输出的（）。

8.填空题差动放大电路的共模抑制比等于（），其值愈大，表示（）能力愈强。

9.填空题串联型稳压电源，主要由（）、（）、（）和（）四部分电路组成。

10.填空题在栅—源极之间加正向电压，才能存在导电沟道的绝缘栅场效应管，称为（）型场效应管。