单项选择题下列有关硅与锗二极管之比较何者正确？（）
A.硅二极管的逆向峰值电压远高于锗二极管
B.硅二极管的可工作温度远低于锗二极管
C.硅二极管的临界电压低于锗二极管
D.硅二极管的反向饱和电流高锗二极管
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1.单项选择题稽纳二极管（Zener diode）的崩溃电压参考值为5～6伏特时，则稽纳电压VZ在6伏特以下时的温度系数为（）
A.正值
B.负值
C.不变
D.以上皆非
2.单项选择题
如图所发生的电流I称为（）
A.顺向电流
B.逆向电流
C.涡流
D.接触电流
3.单项选择题一般正常的二极管，其导通特性为？（）
A.单向导通
B.双向导通
C.短路
D.断路
4.单项选择题硅二极管的两端施加直流电压为0.9伏特，并测得电流为10毫安，则此二极管的静态电阻（）
A.90奥姆
B.90仟奥姆
C.900奥姆
D.100仟奥姆
E.100奥姆
5.单项选择题稽纳二极管（Zener-Diode）使用于稳压时，是操作在？（）
A.正向导通
B.逆向崩溃
C.整流
D.滤波
6.单项选择题
如图所示，欲使齐纳（Zener）二极管正常工作，其RL最小值为（）
A.0Ω
B.10Ω
C.50Ω
D.100Ω
E.150Ω
7.单项选择题硅元素为（）价元素.
A.2
B.3
C.4
D.5
8.单项选择题
如图所示电路的电流I1为5mA，I2为10mA，Vz1的齐纳（Zener）电压为（）
A.10V
B.12V
C.15V
D.20V
9.单项选择题温度增加时，PN二极管的偏移电压（cutin-voltage）会（）
A.减小
B.增大
C.不变
D.偶而变动
10.单项选择题某稽纳二极管的稽纳电压10V，内阻为8Ω，若工作在30mA时，则其两端电压为（）
A.10V
B.10.24V
C.10.4V
D.10.024V
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