霍尔电势与半导体薄片的厚度成（）比。

填空题霍尔电势与半导体薄片的厚度成（）比。

1.填空题传感器的动态特性包括瞬态响应特性和（）响应特性。

2.填空题电阻应变片的工作原理是基于金属的（）效应。

3.填空题压电式传感器的工作原理是以晶体的（）效应为理论依据。

4.填空题物质的光电效应通常分为外光电效应、（）效应和光生伏打效应三类。

5.填空题在传感器领域，应用比较广泛的基本电量传感器有电阻式传感器、（）式传感器、电感式传感器和电涡流式传感器。

6.填空题传感器的基本特性通常指的是传感器的输入和（）之间的关系特性。

7.填空题影响金属导电材料应变灵敏系数K。的主要因素是（）。

8.填空题电阻应变片是将被测试件上的（）转换成（）的传感元件。

9.填空题把被测非电量的变化转换成线圈互感变化的互感式传感器是根据（）的基本原理制成的，其次级绕组都用（）形式连接，所以又叫差动变压器式传感器。

10.填空题用石英晶体制作的压电式传感器中，晶面上产生的（）与作用在晶面上的压强成正比，而与晶片（）和面积无关。