填空题

（）称为沟道效应，可以用（）、（）和（）来避免。其中，（）是最常用的方法。

答案：沿晶体沟道注入离子的射程远大于随机方向注入离子射程的现象；硅片相对注入束偏转5-7°的注入角；表面生长氧化层；硅注入表面...

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注入离子的射程主要由（）决定。确定注入离子分布的主要参数是（）及其（）。注入离子分布的一级近似为（）。可写成：

答案：离子能量、离子种类和衬底材料；平均投影射程；标准偏差；高斯分布

CMOS集成电路的栅氧化层要求：（）。通常用（）氧化降低其界面态密度，用（）氧化降低其针孔密度和提高介电击穿强度。

答案：针孔密度低、界面态密度低、可动电荷密度低和固定电荷密度低、介电击穿高；含Cl；含N