注入离子的射程主要由()决定。确定注入离子分布的主要参数是()及其()。注入离子分布的一级近似为()。可写成:
Si衬底上热氧化的机理由()模型确定。氧化反应的快慢与三个因素有关,即:()。氧化层厚度的理论计算公式为:式中A、B为与扩散率成正比的常数,τ为由()决定的时间修正系数。
最新试题
常压的硅外延方法有()。
CMP的设备构成包括()。
消除鸟嘴效应的方法有()。
下面哪些元素属于半径较小的杂质原子?()
鸟嘴效应造成的不良影响有()。
当许多损伤区连在一起时就会形成连续的非晶层,开始形成连续非晶层的注入剂量称为()。
掺杂后,退火的目的是()。
影响封装芯片特性的温度有()。
硅烷法制备高纯硅的步骤不包括哪一项?()
光刻工艺的设备核心是()。