写出如图所示各电路的输出电压值，设二极管均为理想二极管。

问答题 写出如图所示各电路的输出电压值，设二极管均为理想二极管。

1.问答题试用电流方程式计算室温下正向电压为0.26V和反向电压为1V时的二极管电流。（设I_S=10μA）

2.问答题什么是齐纳击穿？击穿后是否意味着PN结损坏？

3.问答题利用硅二极管较陡峭的正向特性，能否实现稳压？若能，则二极管应如何偏置？

4.问答题有A、B两个二极管。它们的反向饱和电流分别为5mA和0.2μA，在外加相同的正向电压时的电流分别为20mA和8mA，你认为哪一个管的性能较好？

5.问答题能否将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端？为什么？

6.问答题温度对二极管的正向特性影响小，对其反向特性影响大，这是为什么？

7.单项选择题PN结反向偏置电压的数值增大，但小于击穿电压，（）。

A.其反向电流增大
B.其反向电流减小
C.其反向电流基本不变
D.其正向电流增大

8.填空题利用硅PN结在某种掺杂条件下反向击穿特性陡直的特点而制成的二极管，称为（）二极管。请写出这种管子四种主要参数，分别是（）

9.填空题在常温下，发光二极管的正向导通电压约（），（）硅二极管的门限电压；考虑发光二极管的发光亮度和寿命，其工作电流一般控制在（）mA。

10.填空题半导体二极管当正偏时，势垒区（），扩散电流（）漂移电流。