单项选择题

‎对于理想的MIS结构，哪个能带图对应的是P型半导体表面的多子耗尽状态？（）

A.A
B.B
C.C
D.D

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单项选择题

‏理想的MIS结构在外加偏压的作用下，半导体表面进入强反型的条件是（）

A.V_S≥2V_B
B.V_S＞V_B
C.V_S≤2V_B
D.V_S＜V_B

单项选择题

‏金属和半导体接触的整流特性可用于（）

A.制作晶体管
B.制作肖特基势垒二极管
C.给半导体器件接出金属引线
D.制作PN结二极管