在如图所示电路中，己知T2和T4管的饱和管压降|UCES|＝2V，静态时电源电流可忽略不计。试问：
（1）负载上可能获得的最大输出功率Pom和效率η各约为多少？
（2）T2和T4管的最大集电极电流、最大管压降和集电极最大功耗各约为多少。
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电路如图所示。已知：晶体管的β、rbb’、Cμ均相等，所有电容的容量均相等，静态时所有电路中晶体管的发射极电流IEQ均相等。定性分析各电路，将结论填入空内。
A.A
B.B
C.C
D.D
电路如图所示。已知：晶体管的β、rbb’、Cμ均相等，所有电容的容量均相等，静态时所有电路中晶体管的发射极电流IEQ均相等。定性分析各电路，将结论填入空内。
A.A
B.B
C.C
D.D
电路如图所示。已知：晶体管的β、rbb’、Cμ均相等，所有电容的容量均相等，静态时所有电路中晶体管的发射极电流IEQ均相等。定性分析各电路，将结论填入空内。
A.A
B.B
C.C
D.D
电路如图所示，T1与T2管为超β管，电路具有理想的对称性。选择合适的答案填入空内。
A.0.7V
B.1.4V
C.不可知
电路如图所示，T1与T2管为超β管，电路具有理想的对称性。选择合适的答案填入空内。
A.增大输入级的耐压值
B.增大放大能力
C.增大带负载能力
电路如图所示，T1与T2管为超β管，电路具有理想的对称性。选择合适的答案填入空内。
A.增大输入电阻
B.增大电流放大系数
C.展宽频带
A.通用型
B.高阻型
C.高速型
D.低功耗型
E.高压型
F.大功率型
G.高精度型
A.通用型
B.高阻型
C.高速型
D.低功耗型
E.高压型
F.大功率型
G.高精度型
