如图(a)所示,在半导体pn结附近总是堆积着正、负电荷,n区内是正电荷,p区内是负电荷,两区内的电量相等。把pn结看作一对带正、负电荷的“无限大”平板,它们相互接触,x轴的原点取在pn结的交接面上,方向垂直于板面。n区的范围是-xn≤x≤0;p区的范围是0≤x≤xp,设两区内电荷分布都是均匀的。这种分布称为实变形模型,其中ND,NA都是常数,且有xnND=xpNA(两区内的电荷数量相等)。试证电场强度的大小为:
并画出ρe(x)和E(x)随x的变化曲线。
A.间接经济损失
B.直接经济损失
C.财产损失
D.工作损失价值