单项选择题
电路如图所示，若晶体管的发射结被烧坏而形成开路，那么集电极电位UC应等于（）
A.6V
B.0V
C.0.6V
D.5.3V
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1.单项选择题
图示电路，已知晶体管
忽略UBE，如要将集电极电流IC调整到1.5mA.，RB应取（）
A.480KΩ
B.120KΩ
C.240KΩ
D.360KΩ
2.单项选择题
放大电路如图所示，由于RB1，和RB2阻值选取得不合适而产生了饱和失真，为了改善失真，正确的做法是（）
A.A
B.B
C.C
D.D
3.单项选择题
如图示放大电路中接线有错误的元件是（）
A.RL
B.RB
C.C1
D.C2
4.单项选择题
已知某场效应管的漏极特性曲线如图所示，则在UDS=10V，UGS=0V处的跨导gm约为（）
A.1mA/V
B.0.5mA/V
C.-1mA/V
D.-0.5mA/V
5.单项选择题
已知某场效应管的漏极特性曲线如图所示，则此管子的夹断电压
约为（）
A.0V
B.+2V
C.-2V
D.-1V
6.单项选择题
某场效应管的漏极特性曲线如图所示，则该场效应管为（）
A.P沟道耗尽型MOS管
B.N沟道增强型MOS管
C.P沟道增强型MOS管
D.N沟道耗尽型MOS管
7.单项选择题
某电路如下图所示，晶体管集电极接有电阻RC，根据图中的数据判断该管处在（）
A.截止状态
B.放大状态
C.饱和状态
8.单项选择题
低频小功率晶体管的输入电阻rbe等于（）
A.A
B.B
C.C
9.单项选择题晶体管的电流放大系数β是指（）
A.工作在饱和区时的电流放大系数
B.工作在放大区时的电流放大系数
C.工作在截止区时的电流放大系数
10.单项选择题晶体管处于饱和状态时，集电结和发射结的偏置情况为（）
A.发射结反偏，集电结正偏
B.发射结、集电结均反偏
C.发射结、集电结均正偏
D.发射结正偏、集电结反偏
