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问答题简答题

利用2μm×6μm的多晶硅栅极覆盖在4μm×14μm的薄氧化层区正中央构成一个MOS晶体管,已知栅电容Cox=10-3pF/μm2,扩散区电容Cja=10-4pF/μm2,扩散区周边电容为Cja=10-3pF/μm,场区多晶硅与衬底之间的电容Cp=5×10-5pF/μm2,试计算多晶硅区和扩散区的电容。

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