单项选择题有一锗质二极管在25℃时，Is为1μA，当温度升至55℃时，Is为（）
A.1μA
B.2μA
C.4μA
D.8μA
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1.单项选择题二极管的空乏电容随着逆偏电压的增加而？（）
A.增加
B.减少
C.无影响
D.不一定
2.单项选择题
图中电路，稽纳内阻已知rz=4Ω，RL=40Ω，RS=16Ω，则输入电压变化5V时，输出电压变化几伏？（）
A.0.1
B.0.5
C.1
D.2
3.单项选择题当二极管的顺向偏压增加时，扩散电容的大小会（）
A.增加
B.减少
C.无影响
D.不一定
4.单项选择题将硼B元素掺进纯硅晶体内，则成为（）材料.
A.N型
B.P型
C.I型
D.J型
5.单项选择题二极管在顺向偏压时，下列叙述何者正确？（）
A.有大电阻
B.有大电压降
C.截止电流
D.导通电流
6.单项选择题下列何种组件可将电能转换为光能？（）
A.光敏电阻
B.光二极管
C.发光二极管
D.稽纳二极管
7.单项选择题一般PN二极管两端顺向电压随温度变化的情形是（）
A.－2.5mV/℃
B.+2.5mV/℃
C.－25mV/℃
D.+25mV/℃
8.单项选择题在室温下，未加偏压之PN二极管在PN接面附近的状况为：（）
A.P型半导体带正电，N型半导体带负电
B.P型半导体带负电，N型半导体带正电
C.P型及N型半导体皆不带电
D.P型及N型半导体所带之电性不固定
9.单项选择题
如图之电路，若Vi=+5V，求Vo为？（）
A.2.5V
B.5V
10.单项选择题
稽纳二极管的符号为（）
A.（1）
B.（2）
C.（3）
D.（4）
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