如图所示N沟道JFET构成的放大电路，JFET的V_GSoff＝－2V，I_DSS＝5mA，S₁处于开路状态。
（1）说明C₁、C₂、C₃和C₄的作用；
（2）说明R₃和R₅的作用；
（3）计算电路的输入阻抗R_i、输出阻抗R_o和电压放大倍数A_V；
（4）现将N沟道JFET换成H_FE＝100的BJT，且S₁闭合，分析输入阻抗、输出阻抗和增益的变化；
（5）比较共源JFET放大器和共射BJT放大器的优缺点。

电路如图所示，其中三极管β＝100，r_bb′300，V_BEQ＝0.7V。
（1）求静态工作点I_CQ1、V_CEQ1、I_CQ2和V_CEQ2的值；
（2）求中频段电压放大倍数A_V＝V_o／V_i；
（3）求电路下限截止频率f_L；
（4）如果试图提高电路的下限截止频率，而手头没有多余的元器件，对电路中的元器件做怎样调整，可以实现这个目的。

射极输出器如图所示，已知V_BE＝0.7V，β＝50。
（1）求静态值I_B、I_C和V_CE；
（2）求中频参数A_V，R_i和R_o；
（3）求该电路的最大输出电压幅值V_om；
（4）当C₂＝1μF时，求其引起的下限频率f_L；
（5）若要使V_omax为最大（忽略饱和压降），R_b应调为多大？这时输出幅值V_omax为多少？

共集电极放大电路如图所示。已知：V_CC＝12V，β＝100，U_BE＝0.6V，R_S＝600Ω，R_B1＝5.1kΩ，R_B2＝10kΩ，R_E＝470Ω，R_L＝1kΩ，试用小信号模型分析法计算电路的输入电阻R_i、输出电阻R_O及电压增益A_us。

放大电路如图所示。已知：β＝20，R_B＝200Ω，V_CC＝20V，R_B1＝R_B2＝24kΩ，R_C＝1kΩ，U_BE＝0.7V，r_bb′＝200Ω。VD_Z为理想的硅管稳压二极管，其稳压值U_DZ＝6V。
（1）计算静态工作点的I_CQ和U_CEQ；
（2）求电压的放大倍数A_u和输入电阻R_i；
（3）若VD_Z极性接反，电路能否正常放大？试计算此时静态工作点，并定性分析VD_Z反接对A_u和R_i的影响。

试判断如图各电路是否能够放大电路信号。

如图所示的电路，已知：β＝50，U_BE＝0.6V，R_B1＝30kΩ，R_B2＝10kΩ，R_C＝4kΩ，R_E＝2.4kΩ，R_L＝4kΩ，V_CC＝＋12V，C_L、C₂、C_E以交流信号可视为短路，求：
（1）静态时I_C和I_B值；
（2）画出放大器微变等效电路；
（3）求三极管的r_be；
（4）C_E开路时求电压放大倍数；
（5）若C_E短路时，求A_u。

在如图所示的电路中，U_S为正弦波小信号，其平均值为0，BJT的β＝100。
（1）为使发射极电流I_E约为1mA，求R_E的值；
（2）如需建立集电极电压U_C约为＋5V，求R_C的值；
（3）设R_L＝5kΩ，求电路中的C_B1和C_B2的容抗可忽略，取R_S＝500Ω。

电路参数如图所示。设FET的参数为g_m＝0.8mS，r_d＝200Ω，3AG29（VT₂）的β＝40，r_be＝1kΩ。试求放大电路的电压增益和输入电阻R_i。

单管放大电路如图所示，已知BJT的电流放大系数。
（1）估算Q点；
（2）画出简化h参数小信号等效电路；
（3）估算BJT的输入电阻r_be；
（4）如输出端接入4kΩ的电阻负载，计算