A.小尺寸器件沟道长度采用栅极长度计算B.晶格散射导致的载流子迁移率退化C.小尺寸器件中的纵向电场D.栅漏电容的米勒效应
A.最高振荡频率>特征频率B.理论计算MOS管最高振荡频率时,需去除电容和漏极输出电阻的影响C.最高振荡频率与器件跨导成正比D.最高振荡频率与器件栅氧层厚度成反比
A.采用应力工程,提高载流子迁移率B.提高过驱动电压C.增加沟道长度D.减小栅围寄生电容