PIN光电二极管内阻大，输出电流很小。

如图所示是光纤的结构示意图，如果图中所示序号为1的部分材质的折射率为n1，序号为2的部分材质折射率为n2，则以下有关n1和n2的关系中，正确是（）。

如图所示是克希何夫与本生架设的光谱实验装置，对于该装置，以下说法中正确的是（）。

光电池的频率特性不高，因为它的光敏面较大。

漂移时间不是限制光伏探测器的频率特性的主要因素。

光伏探测器的响应时间包括载流子的扩散时间、载流子的漂移时间，以及外电路时间。

光电池是光敏面较大的光伏探测器。

硅光电二极管的电流灵敏度一般比硅光电三极管低。

光电池在光照下的PN结伏安特性图上工作在第四象限。

光伏探测器的暗电流是由热激发的载流子引起的，与器件材料、工作温度无关。