(1)机械剥离 (2)CVD化学气相沉积 (3)外延生长,如碳化硅(SiC) (4)基于溶液的氧化还原法欢迎
模板合成法 溶液插层 原位插层聚合 熔融插层
MMC:增加应力,TS,蠕变抵抗。 CMC:增加Kc。 PMC:增加E,应力,TS,蠕变抵抗。 目的:提高基体性能。