HCl的晶格结点上排列的粒子为（），其相互作用力为（）；SiC的晶格结点上的...

填空题HCl的晶格结点上排列的粒子为（），其相互作用力为（）；SiC的晶格结点上的粒子为（），其作用力为（）；MgO晶体的晶格结点上排列的粒子为（），其使用为（）

1.填空题热力学第一、二、三定律的数学表达式分别为（）、（）、（）。

2.填空题HI比HCl的熔沸点高是由于（），HF比HCl的熔沸点高是由于（）；I₂在CCl₄中的溶解度比在水中的溶解度大是由于（），而KCl在水中的溶解度比AgCl大是由于（）

3.填空题[Co（H₂O）₄Cl₂]Cl配合物的中文命名为（），中心离子为（），配位体为（），配位原子为（），配位数为（），配离子的电荷为（）

4.填空题第31号元素镓（Ga）是当年预言过的类铝，现在是重要的半导体材料之一。Ga的核外电子排布式为（）；价电子层为（）；它属周期表中的第（）周期，（）族，处于（）区。

5.填空题氮原子2P轨道上的3个电子的运动状态，若用四个量子数（n， l， m， m_s）来表述，分别为（）、（）、（）

6.填空题微观粒子的基本特性是（）

7.单项选择题下列各组分子间作用力最强的是（）

A.CCl₄与CCl₄
B.CH₄与CCl₄
C.CH₄与HCl
D.HCl与HCl

8.单项选择题若N₂（g）+3H₂（g）==2H₃（g），K^θ=0.63。达到平衡时，再送入一定量的N₂（g），则平衡常数K^θ反应商Q和反应的吉布斯函数变ΔrG^θ_m的关系为（）

A.Q=K^θ，ΔrG^θ_m=0
B.Q＞K^θ，ΔrG^θ_m＞0
C.Q＜K^θ，ΔrG^θ_m＜0
D.Q＜K^θ，ΔrG^θ_m＞0

9.单项选择题 已知下列反应平衡常数
则反应H₂（g）+SO₂（g）==O₂（g）+H₂S（g）的平衡常数为（）

A.A
B.B
C.C
D.D

10.单项选择题任何客观物质，其焓值H和内能值u的关系为（）

A.H = U
B.H＞U
C.H＜U
D.不能确定