p−n结为何有单向导电性？

问答题p−n结为何有单向导电性？

1.问答题本征半导体掺何种杂质即可成为n型半导体，它的多数载流子是什么？又怎样成为p型半导体？它的多数载流子是什么？

2.问答题掺杂与加热均能使半导体的电导率增加，但二者有何不同？

3.问答题从能带结构来看导体、绝缘体、半导体有什么差异？

4.问答题能级与能带有何不同？固体的能带是怎么形成的？

5.问答题晶体的四种主要类型的结合键各有什么特征？

6.问答题发光二极管的半导体材料能隙为1.9eV，求它所发射光的波长。

7.问答题已知硅的禁带宽度为1.14eV，金刚石的禁带宽度为5.33eV。求能使之发生光电导的入射光最大波长。

8.问答题钒V是第一类超导体，天然钒中同位素V⁵¹占99.76%，V⁵⁰占0.24%，它们的质量分别为50.9440u和49.9472u。已知天然钒的转变温度为5.300K，试根据超导体的同位素效应：M^1/2T_C=C（M为同位素质量，T_C为转变温度，C为常量），计算钒V⁵⁰的转变温度。

9.问答题n型半导体Si中含有杂质磷P原子。在计算施主能级时，作为初级近似，可看作一个电子围绕离子实P⁺运动，好似一个浸没在无限大电介质Si中的一个类氢原于。已知Si的相对介电常数ε_r=11.5，求此半导体的施主基态能级。

10.问答题 铜、银、金、铝、铂等许多金属的晶格均为面心立方点阵结构。其边长a称为晶格常数，一般晶格常数并不一定代表原子间的最近距离。
（1）分析面心立方点阵中每个原子周围有几个最近邻原予；
（2）求最近邻原子间的距离与晶格常数的关系。