在NaI（T1）中2MeVγ射线相互作用的光电效应、康普顿效应和电子对效应的...

问答题在NaI（T1）中2MeVγ射线相互作用的光电效应、康普顿效应和电子对效应的截面比为1：20：2，入射到NaI（T1）中的2MeVγ射线的脉冲幅度谱给出的峰总比是小于、大于还是近似等于1/23？

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1.问答题NaI（T1）闪烁体的衰变时间（即衰变常数倒数）为230ns，忽略光电倍增管引入的任何时间展宽，求闪烁探测器阳极电路时间常数为10，000和1000ns时的电压脉冲幅度。

2.问答题Φ4×0.8mm金硅面垒探测器测α能谱时，当E_α＝0时相应于零道，对²⁴¹Am的5.486MeV的α粒子谱峰位于116道，如果重离子能量为21.00MeV谱峰被记录在402道，求脉冲幅度亏损是多少（已知前置放大器的输入电容为10PF）。

参考答案：

3.问答题比较比Si材料和用Ge材料做成的探测器由于电子－空穴对的统计涨落对分辨率的影响。如果除了统计涨落外，所有其他因素对谱线宽度的贡献为5kev，那么对Si和Ge来说，探测多大能量的粒子才会形成20kev的线宽？

参考答案：

4.问答题绝对峰效率为38％的NaI（T1）闪烁探测器，对⁵⁷Co源的122kevγ射线测量15min光电峰计数146835个。然后同样的源置于离表面积为3600mm²的Si（Li）探测器的表面为10㎝记录60得到一个谱。如果在7.1kev的K_βX射线峰下面的计数为932个，那么在这个能量时Si（Li）探测器的效率是多少？（对于⁵⁷Co的特征X射线和γ射线的强度比X/γ分别为：对6.40kev的K_α线为0.5727，对7.1kev的K_β线为0.7861。

参考答案：

5.问答题本征层厚度为3mm的一个380mm²的平面Ge（Li）探测器对距它表面100㎜处0.25MBq的¹³⁷Csγ射线源测量5min所得的全能峰、单逃逸峰、双逃逸峰下面的计数（R＝20/1）。

参考答案：

6.问答题一个Ge（Li）探头相对于标准Φ7.62cm×6.62cm的NaI（T1）闪烁体有8％的光电峰效率。求对于距探测器40㎝处一个3.7×10⁷Bq的⁶⁰Co点源的1.33MeV全能峰计数率。

参考答案：

7.问答题 试就以下条件画出硅面垒探测器的期望微分脉冲幅度谱：
（a）5MeV入射α粒子，探测器的耗尽深度大于α粒子的射程。
（b）5MeVα粒子，探测器的耗尽深度为α粒子射程之半。
（c）情况同（a），但5MeVα粒子已经经过一块吸收体，其厚度等于该物质中α射程的一半。

参考答案：

8.问答题当α粒子被准直得垂直于金硅面垒探测器的表面时，²⁴¹Am刻度源的主要α射线峰中心位于多道分析器的461道。然后改变几何条件，使α粒子偏离法线35°角入射，此时，峰位移到449道，试求死层厚度（以α粒子粒子能量损失表示）。

参考答案：

9.问答题使用一个完全耗尽了的0.1mm厚的硅探测器，若偏压大到足够使载流子速度处出饱和，估算电子和空穴的最大收集时间。

参考答案：

10.问答题死时间分别为30μs和100μs的探测器A和B，若B探测器的死时间漏计数率是A探测器死时间漏计数率的两倍，求应测的计数率是多少？

参考答案：