在VCM装置中焚烧炉超温，危害有（）

多项选择题在VCM装置中焚烧炉超温，危害有（）

A.损坏焚烧炉内壁耐温材料
B.对仪表检测设备有致命损害
C.焚烧炉会发生闪爆火的事故
D.损坏焚烧炉进料系统

1.多项选择题在VCM装置中，VCM产品罐出现超压，危害有（）

A.易发生泄漏事故
B.易发生闪爆着火事故
C.造成装置降负荷
D.易对环境造成污染

2.多项选择题在VCM装置中，EDC裂解炉在烧焦时超温的危害性有（）

A.容易烫伤操作人员
B.损坏耐火材料
C.烧熔炉管
D.降低裂解炉寿命

3.多项选择题EDC裂解汽化器在裂解炉清完焦后压力难以控制，主要原因是（）

A.裂解炉对流段刚清完焦，换热效果较好
B.汽化器刚清完焦，换热效果较好
C.环境温度及气候对汽化器影响大
D.操作人员操作不当

4.多项选择题EDC裂解炉进料低沸含量高，对裂解炉影响是（）

A.结焦速度降低
B.结焦速度加快
C.相同裂解率下，出口温度高
D.相同裂解率下，出口温度低

5.多项选择题氧氯化反应器换热蛇管泄漏，危害是（）

A.氧氯化反应器温度升高
B.氧氯化反应器催化剂死床
C.氧氯化反应变差
D.氧氯化反应器出口夹带催化剂

6.多项选择题氧氯化反应器换热蛇管泄漏，可能的原因是（）

A.氧氯化反应器蛇管外壁冲刷减薄
B.氧氯化反应器负荷高
C.氧氯反化反应器负荷频繁波动
D.氧氯化反应器蛇管内壁被蒸汽冲刷减薄

7.多项选择题氧氯化反应急冷塔塔底排水量突然增多，原因可能是（）

A.氧氯化反应器蛇管泄漏
B.氧氯化反应器进料夹带水
C.急冷塔顶加水流量计坏
D.急冷塔液位出现假指示

8.多项选择题氯乙烯装置直接氯化单元产品中高沸含量上升，主要原因是（）

A.反应温度
B.乙烯纯度低
C.反应器内催化剂少
D.Cl₂纯度低

9.多项选择题氧氯化反应器出口夹带催化剂时，下面原因分析正确的是（）

A.反应器负荷高
B.旋风分离器腐蚀泄漏
C.反应器催化剂流化态不好
D.反应器压力高

10.多项选择题氧氯化法生产VCM单体时，含乙炔超标，主要原因是（）

A.EDC裂解率高
B.HCl塔控制不好
C.VCM塔控制不好
D.EDC纯度低