分别估算满足深度反馈条件下的源电压增益Ausf的表达式或数值

问答题

电路如题图（a）和（b）所示，各电容对信号可视为短路。

分别估算满足深度反馈条件下的源电压增益A_usf的表达式或数值

参考答案：

1.填空题使PN结正偏的方法是：将P区接（）电位，N区接（）电位。正偏时PN结处于（）状态，反偏时PN结处于（）状态。

2.问答题 电路如题图（a）和（b）所示，各电容对信号可视为短路。

分别写出反馈系数的表达式。

3.填空题在本征半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度；在P型半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度；在N型半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度。

4.填空题齐纳击穿时的击穿电压约（）V，当反向击穿电压（）时，为雪崩击穿。齐纳击穿具有（）电压温度系数，而雪崩击穿具有（）电压温度系数。

5.问答题 电路如题图（a）和（b）所示，各电容对信号可视为短路。

试分别判断电路级间交流反馈的极性和类型。

图（a）：电压并联负反馈
图（b）：电流并联负反馈

6.填空题在常温下，硅二极管的门限电压约（）V，导通后在较大电流下的正向压降约（）V，锗二极管的门限电压约（）V，导通后在较大电流下的正向压降约（）V。

7.填空题当PN结外加正向电压时，扩散电流（）漂移电流，耗尽层（）。当外加反向电压时，扩散电流（）漂移电流，耗尽层（）。

8.填空题在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取于（），而少数载流子的浓度则与（）有很大关系。

9.问答题 电路如题图所示，试指出电路的反馈类型，并计算开环增益A_u和闭环增益A_uf（已知β、r_be等参数）。

10.问答题 在图（a）所示钳位电路中，已知其输入信号，如图（b）所示。试画出输出电压vo的波形，并说明vo钳位在何值。设二极管是理想二极管。