首页
题库
网课
在线模考
桌面端
登录
搜标题
搜题干
搜选项
0
/ 200字
搜索
问答题
【简答题】为什么在相同工艺条件和相同几何尺寸下NMOS管速度要高于PMOS管?如果相同栅长的N管和P管要达到相同的速度,理论上N管和P管要满足什么条件?
答案:
因为NMOS管的导电沟道是由带负电的电子累积而成,而PMOS管的导电沟道是由带正电的空穴累积而成,由于电子的迁移率大约是...
点击查看完整答案
在线练习
手机看题
你可能感兴趣的试题
问答题
【简答题】简述CMOS工艺的基本工艺流程(以1×poly,2×metal N阱为例)。
答案:
点击查看完整答案
手机看题
问答题
【简答题】试述 “鸟嘴”效应是如何产生的?它对MOS器件有什么影响?
答案:
通常,IC器件之间通过氧化去来隔离的,在局部氧化隔离工艺中,由于氧化过程中的渗透作用,造成了氧化区具有“鸟嘴形”。这种形...
点击查看完整答案
手机看题
微信扫码免费搜题