FinFET等多种新结构器件的发明人是：（）。

单项选择题FinFET等多种新结构器件的发明人是：（）。

A.基尔比
B.摩尔
C.张忠谋
D.胡正明

1.单项选择题（）年发明了世界上第一个点接触型晶体管。‌

A.1947
B.1948
C.1957
D.1958

2.单项选择题单个芯片上集成约50万个器件，按照规模划分，该芯片为：（）。‌

A.LSI
B.VLSI
C.ULSI
D.SoC

3.单项选择题摩尔定律之后，集成电路发展有三条主线，以下不是集成电路发展主线的是：（）。

A.More Moore
B.More than Moore
C.Beyond CMOS
D.SoC

4.单项选择题如下不是集成电路产业特性的是：（）。‎

A.资本密集
B.技术密集
C.低风险
D.高风险

5.单项选择题中国高端芯片联盟正式成立时间是：（）。‌

A.2016年7月
B.2017年7月
C.2016年9月
D.2017年9月

6.单项选择题一个6x6的Booth变码保留进位加法（CSA）阵列乘法器中的最终相加加法器应该是一个（）位的进位传播加法器。

A.12
B.6
C.11
D.18

7.单项选择题基4的波兹编码可以把乘法器中的部分积数量减少到原来的（）。

A.1/2
B.1/3
C.1/4
D.2/3

8.单项选择题最高性能的N位加法器结构的延时与位数N之间是（）关系。

A.线性关系
B.平方根关系
C.无关
D.对数关系

9.单项选择题对于一个组成N位加法器当中全加器电路来说，它的关键路径是（）。

A.加数到和的路径
B.加数到进位输出的路径
C.进位输入到和的路径
D.进位输入到进位输出的路径

10.多项选择题下列全加器中的进位输出逻辑表达式正确的是（），其中A，B，C分别是两个加数和进位输入（注：符号^表示异或运算）。

A.AB+C（A+B）
B.AB+C（A^B）
C.A+B+C
D.A^B^C