单项选择题掺杂下列哪种元素的杂质半导体是属于间隙型的?()
A.Li
B.B
C.P
D.Al
您可能感兴趣的试卷
你可能感兴趣的试题
1.单项选择题与气体探测器相比,下列哪一项不是半导体探测器的优点?()
A.能量分辨率好
B.对γ射线的探测效率高
C.结构紧凑
D.不易受射线损伤
2.单项选择题下列哪项不是闪烁探测器必备的构成部分?()
A.光电倍增器件
B.组分恒定的气体环境
C.闪烁体
D.前置放大器
3.单项选择题闪烁探测器的特点不包括下面哪项?()
A.探测效率高
B.时间特性好
C.用途广泛,闪烁体选择多
D.适合于测量带电粒子,不适合测量不带电粒子
4.单项选择题处于电流脉冲型工作状态的闪烁探测器,其输出脉冲幅度与下列哪个参数无关?()
A.阳极收集的总电荷量
B.闪烁体的发光衰减时间常数
C.输出回路等效电容
D.输出回路等效电阻
5.单项选择题单晶闪烁谱仪中闪烁体的尺寸变大时,其峰总比和峰源效率将如何变化?()
A.峰总比变大,峰源效率变大
B.峰总比变大,峰源效率变小
C.峰总比变小,峰源效率变大
D.峰总比变小,峰源效率变小
6.单项选择题某闪烁探测器的闪烁体发光衰减时间常数为0.68μs,输出回路的时间常数为10μs,每秒被闪烁体探测到的粒子数为10000个,则该探测器处于哪种工作状态?()
A.电流型
B.累计型
C.电压脉冲型
D.电流脉冲型
7.单项选择题下列哪种因素对单晶闪烁谱仪的γ射线探测效率没有影响?()
A.闪烁体的组成元素
B.闪烁体的密度
C.闪烁体的厚度
D.打拿极的倍增系数
8.单项选择题单晶闪烁谱仪的哪个性能参数描述了单位能量输出幅度与入射粒子能量的关系?()
A.响应函数
B.能量分辨率
C.能量线性
D.源峰效率
9.单项选择题单晶闪烁谱仪的分辨时间与下列哪个因素无关?()
A.闪烁体的发光衰减时间常数
B.光电倍增管的电子飞行时间
C.输出回路的等效电阻
D.输出回路的等效电容
10.单项选择题PMT阳极收集到的电子数是一个串级型随机变量,下列不属于它的串级的是()。
A.闪烁体发出的闪烁光子数
B.闪烁光子产生到第一打拿极收集的转换因子
C.打拿极的倍增系数
D.前置放大器的放大倍数
最新试题
测量β射线的活度,下列说法错误的是()。
题型:单项选择题
对于(D,D)反应和(D,T)反应,下列描述正确的是()。
题型:单项选择题
下列关于反符合的描述正确的是()。
题型:单项选择题
下列对中子与原子核的反应截面的描述不正确的是()。
题型:单项选择题
关于中子的弹性、非弹性散射,下列说法错误的是()。
题型:单项选择题
轫致辐射对γ能谱的影响,描述错误的是()。
题型:单项选择题
下列哪种中子的波长最短?()
题型:单项选择题
吸收和散射对探测器活度测量也有影响,下列说法错误的是()。
题型:单项选择题
下列哪项不属于中子探测方法?()
题型:单项选择题
测量能量10keV的γ射线,观察到了在20keV处有一个明显的峰,对于这些计数的分析正确的是()。
题型:单项选择题