对颗粒涂布型磁存储材料,假定单畴退磁场能Ed与多畴结构的畴壁能Ew分别可以表示为
1)存在一个临界半径R0,当颗粒半径R>R0时,颗粒为多畴结构;当R
2)下图中M-D、S-D以及S-P三个不同颗粒直径范围内矫顽力MHc与颗粒直径d的关系
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A.前者包含后者
B.前者属于后者
C.没有关系
A.以感应方式来传递外界电场的作用和影响
B.以传导方式来传递外界电场的作用和影响
C.对外界电场无响应
A.氢键和分子键
B.离子间和共价键
C.金属键
A.激光变频晶体
B.电光晶体的应用
C.光折变晶体的应用
A.光混频与光参量振荡
B.晶体的光折变效应
C.晶体的光电效应
A.禁带宽度完全相同的两种材料组成
B.由禁带宽度不同的两种材料组成
C.由一种材料构成
A.光电导
B.光生伏特效应
C.光电子发射
A.可见光
B.激光
C.红外光
A.存储介质、换能器、传送介质装置以及匹配的电子线路
B.存储介质、传送介质装置以及匹配的电子线路
C.换能器、传送介质装置以及匹配的电子线路
A.水平存储模式、垂直存储模式和杂化存储模式
B.水平存储模式、纵向存储模式和杂化存储模式
C.水平存储模式、垂直存储模式和纵向存储模式
最新试题
红外探测器材料分为()和()两大类。
本征吸收一定在本征半导体中才会发生。
常见的非线性光学现象包括()、()和()。
利用压电材料的逆压电效应可以制备力传感器。
功能陶瓷在形成固溶结构时,键型相似的物质有利于固溶。
杂质吸收与激子吸收相同,都导致电子在能带与能带之间跃迁。
下面不是非线性光学现象的是()
半导体对光的吸收以及与之有关的光电离过程只能直接改变电子和空穴的数量与能量,为了出现光电势,还必须具备一定的附加条件,以使光生电子和空穴能够在空间分开。在不均匀半导体中,必须(),在均匀半导体中,必须具备另外一些附加条件,比如()或()。
粒子数反转
光盘是用()写入信息、读出信息的存储器件。