B：P型杂质，OED； P：N型杂质，深结，OED； AS：N型杂质，离子注入精确控制结深。
结深为xj，长宽相等的一个扩散薄层的电阻（设平均电阻率为），就是该扩散层的方块电阻（或薄层电阻）。
最新试题
说明氧化气氛对扩散有何影响及原因？
二极管只能通过直流电，不能通过交流电。
在PN 结中，P 区的电势比N 区高。
本征半导体导电性能很差。
试说明硅工艺中常用掺杂杂质B，P，As的扩散特性。
试说明扩散工艺中常用的扩散掺杂方法，并说明当前实际工艺中使用的主要方法及理由。
漂移运动方向是从N 区到P 区。
自由电子带负电，空穴带正电。
薄层电阻
点接触型比面接触型二极管的结电容面积小，因此其最高工作频率低。
