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填空题在本征半导体中，（）是多子，由（）形成。在P型半导体中，（）是少子，由（）形成。

参考答案： 自由电子；掺杂；自由电子；本征激发

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1.问答题 分压式偏置电路如图所示，已知三极管的U_BE=0.7V，r_bb=100Ω，β=60，U_CES=0.3V。
求最大输出电压幅值U_om。

参考答案：

2.问答题 分压式偏置电路如图所示，已知三极管的U_BE=0.7V，r_bb=100Ω，β=60，U_CES=0.3V。
求放大电路的A_u，R_i，R_o，A_us

参考答案：

3.问答题 放大电路如图所示，已知三极管的U_BE=0.7V，β＝40，R_B=240kΩ，R_C=3kΩ，R_L=3kΩ，V_CC=12V。试：
（1）用估算法计算电路的静态工作点（I_B，I_C，U_CE）；
（2）画出小信号模型电路；
（3）计算晶体管的动态输入电阻r_be；
（4）计算电压放大倍数A_u；
（5）计算输入电阻r_i和输出电阻r_o

参考答案：

4.问答题 分压式偏置电路如图所示，已知三极管的U_BE=0.7V，r_bb=100Ω，β=60，U_CES=0.3V。
估算工作点Q

参考答案：

5.问答题 在如图所示电路是具有电容滤波的单相桥式整流电路，已知负载电阻RL=200Ω，交流电源频率f=50HZ，则当直流输出电压为U。=30v时，求：
①每个二极管中流过的平均电流ID；
②二极管所承受的最高反向电压UDRM；
③确定滤波电容C的最小值。

参考答案：①I。＝U。/RL=30/200=0.15A
I.D=0.5I。=0.5×0.15=75mA
②UD...

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6.问答题 功率放大电路如图所示，设三极管的饱和压降UCES为1V，为了使负载电阻获得12W的功率，请问：
(1)正负电源至少应为多少伏？
(2)三极管的IM，BVCEO至少应为多少？

参考答案：

7.问答题 电路如图所示，晶体管的β＝100，r_bb=100Ω。

若电容C_e开路，则将引起电路的哪些动态参数发生变化？如何变化？

参考答案：

8.问答题 电路如图所示，晶体管的β＝100，r_bb=100Ω。

求电路的Q点，A_u，R_i和R_o。

参考答案：

9.问答题 电路如图所示，晶体管的β＝80，r_bb=100Ω。

若由PNP型管组成的共射电路中，输出电压波形如所示，则分别产生了什么失真？

参考答案：

10.问答题 电路如图所示，晶体管的β＝80，r_bb=100Ω。

由于电路参数不同，在信号源电压为正弦波时，测得输出波形如图所示，试说明电路分别产生了什么失真，如何消除。

参考答案：