1)高迁移率; 2)容易p型和n型掺杂; 3)自对准结构; 4)抗光干扰能力强; 5)抗电磁干扰能力强。
PECVD制备a-Si:H薄膜的,使用的气体是SiH4、H2,成膜温度大约为315℃,反应方程为: