多项选择题

关于DDR3的PCB布局布线要求，下列说法正确的是（）。

A.采用T拓扑结构上拉电阻放在T点处，上拉电阻的走线长度要小于500mil
B.采用FLY-BY拓扑上拉电阻放在最后一片DDR3芯片的后端，上拉电阻的走线长度要小于500mil
C.当DDR3芯片所需的电流超过电源走线的通流能力，会因驱动能力不足导致对信号处的错误处理
D.DDR3布线减少过孔的数量是为了避免过孔的寄生电容和电感对信号质量的影响

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多项选择题

关于DDR3的新特性，下列说法正确的是（）。

A.Reset提供了超省电功能的命令，可以让DDR3电路停止运作、进入超省电待命模式
B.ZQ则是一个新增的终端电阻校准功能，用来校准ODT（OnDieTermination）内部终端电阻
C.PASR信号是局部Bank刷新的功能，针对整个内存Bank做更有效的资料读写以达到省电功效
D.在DDR3系统中，Vref分可为两个信号即VREFCA和VREFDQ，有效地提高系统数据总线的信噪等级

单项选择题

DDR2的ODT允许配置的阻值的四种模式是（）。

A.150Ω、120Ω、50Ω、0Ω
B.150Ω、100Ω、50Ω、0Ω
C.150Ω、75Ω、50Ω、10Ω
D.150Ω、75Ω、50Ω、关闭