单项选择题FET共泄极放大器的电压增益（）
A.甚高
B.约等于μ
C.等于1
D.略小于1
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1.单项选择题TO－3包装之功率晶体管，其外壳为（）
A.集极
B.射极
C.基底（substrate）
D.基极
2.单项选择题典型金氧半晶体管（MOSFET）的闸极输入端电阻值约为多少奥姆？（）
A.108
B.109
C.1010
D.1014
3.单项选择题输入电阻最高的放大器是（）
A.MOSFET源极随耦器
B.射极耦合器
C.达灵顿射极耦合器
D.晶体管靴带式放大器
4.单项选择题2SK19为（）
A.BJT
B.JFET
C.SCR
D.UJT
5.单项选择题下列何种装置有热跑脱现象？（）
A.N通道FET
B.P通道FET
C.双极性晶体管
D.单极性晶体管
6.单项选择题晶体管交换电路的速率，主要是由什么极的储藏次载子放电速率来决定？（）
A.集极与射极
B.基极
C.射极
D.集极
7.单项选择题
如图中，假设二极管为理想，须向导通电压为0，则输出Vo之平均电压Vdc约为（）
A.3.18V
B.5V
C.6.28V
D.7.07V
8.单项选择题
半波倍压器如图所示，变压器之次级圈标示12V（rms），则C2之耐压至少须为（）
A.17V
B.40V
C.12V
D.24V
E.6V
9.单项选择题
如右图所示倍压器电路，若D1、D2为理想二极管，则输出电压Vo为（）
A.141V
B.-141V
C.200V
D.-200V
10.单项选择题桥式整流电路中，二极管之最大反向电压（PIV）为电源峰值的（）倍
A.2
B.3
C.√2
D.1
