利用重掺杂的多晶硅作为MOS管的栅，可以使得MOS电路特性得到改善，阈值电压...

判断题利用重掺杂的多晶硅作为MOS管的栅，可以使得MOS电路特性得到改善，阈值电压下降。

1.判断题制作MOS管结构时，源漏虽然结构完全对称，但掺杂浓度不同。

2.判断题linux中命令输完以空格结尾。

3.判断题全定制设计和半定制设计相比，半定制设计的设计要求更高。

4.判断题N阱内放置的保护环类型是N+掺杂类型。

5.判断题使用calibre工具做LVS验证时，需要用到设计规则文件。

6.判断题在calibre做LVS验证时，RVE界面显示的错误大类主要有端口错误、器件错误、线网错误和参数错误。

7.判断题电路图与版图对比一致验证的缩写是DRC。

8.判断题模拟版图绘制中为了增加匹配程度，通常会增加一些电路中不存在的器件，这些器件在版图上也不做任何连接，仅仅放置在实际器件附近，这些额外的器件称dummy。

9.判断题在标准单元版图自动布线时，一般第1、3、5等层金属走线方向总体相同，相邻两层金属的走线方向总体要求是相互垂直。

10.判断题版图的布局主要的思路有引线驱动、模块驱动、信号驱动。