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对于掺杂浓度较高的硅、锗半导体,温度很低时,()散射起主要作用。
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电离杂质
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单项选择题
对于由P型半导体构成的理想的MIS结构,当半导体表面少子浓度是体内多子浓度的2倍时,表明此时表面为()状态。
A.多子积累
B.平带
C.弱反型
D.强反型
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单项选择题
设几种半导体的本征性质相同,在μ
n
>μ
p
的情况下,则()半导体电导率将取得最小值。
A.n型
B.p型
C.本征
D.无法判断
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