填空题

对于掺杂浓度较高的硅、锗半导体，温度很低时，（）散射起主要作用。

答案：电离杂质

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单项选择题

‏对于由P型半导体构成的理想的MIS结构，当半导体表面少子浓度是体内多子浓度的2倍时，表明此时表面为（）状态。

A.多子积累
B.平带
C.弱反型
D.强反型

单项选择题

设几种半导体的本征性质相同，在μ_n＞μ_p的情况下，则（）半导体电导率将取得最小值。

A.n型
B.p型
C.本征
D.无法判断