判断题

IGBT的饱和导通压降比P-MOSFET低。

答案：正确

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单项选择题

坠落高度基准面（）m及以上的基坑边、楼梯段、楼层边等临边作业处未做防护的，或外架边缘与建筑物间隙大于（）mm未采取防护措施的，每少1处记1分

A.2,150
B．2,200
C．3,150
D．3,200

单项选择题

选择6个上前牙宽度是依据()

选择上前牙长短可参考()
与确定平面有关的线是()
A. 中线
B. 口角线
C. 瞳孔连线
D. 唇高线
E. 唇低线