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从提高三极管放大能力出发,除了将晶体管基区做得很薄,掺杂浓度很低外,工艺上还要采取如下措施中的( )。 A. 发射区掺杂浓度高,集电结面积小 B. 发射区掺杂浓度高,集电结面积大 C. 发射区掺杂浓度低,集电结面积小 D. 发射区掺杂浓度低,集电结面积大
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