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如下,关于绝缘栅双极晶体管开关速度,表述正确的是:
A、绝缘栅双极晶体管IGBT是一种复合器件,其开关速度比GTR慢。
B、绝缘栅双极晶体管IGBT是一种复合器件,其开关速度比电力MOSFET快。
C、绝缘栅双极晶体管IGBT是一种复合器件,其开关速度通常比GTR快。
D、绝缘栅双极晶体管IGBT是一种复合器件,其驱动电流很大。
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